
Полевые MOSFET-транзисторы производства «Ангстрем» - это полностью российская разработка, выпускающаяся на кристаллах собственной разработки и не уступающая по характеристикам мировым аналогам.
Произведенные по улучшенной планарной технологии, транзисторы имеют более низкие значения входной емкости и заряда затвора, которые обеспечивают меньшие потери при работе на динамической нагрузке.
Линейка планарных P-channel транзисторов выполнена в диапазоне:
• Напряжение от -30 до -200 В,
• Ток от -6 до -32 А,
• Сопротивление 40 мОм до 250 мОм.
Линейка trench P-channel транзисторов выполнена в диапазоне:
• Напряжение от -30 до -100 В,
• Ток от -16 до -52 А,
• Сопротивление от 15 до 110 мОм.
Доступные корпуса: TO-220, ТО-247, TO-251, TO-252, TO-263.
Основные преимущества используемых технологий:
• Planar: повышенная устойчивость к воздействию энергии лавинного пробоя. Надежность в работе.
• Trench: компактные размеры, более плотная упаковка, большие значения тока, меньшее сопротивление открытого канала. Это позволяет использовать данный тип MOSFET в приборах большой мощности за счет увеличения значения PD.
• Low charge: низкие потери при переключении в связи с низким зарядом затвора и низкой входной емкостью.
Дополнительно вся продукция тестируется на устойчивость к энергии лавинного пробоя.
Вся продукция проходит строгий контроль качества и выполнена по стандарту ISO 9001:2008.
Преимущества:
• Низкое значение заряда затвора QG;
• Легкость параллельного включения;
• Частота переключения до 100 кГц;
• Низкое значение входной емкости Сiss;
• Низкое сопротивление RDS(on);
• Вся продукция проходит стресс-тест на устойчивость к лавинному пробою (100% Avalanche test);
• Технологии: Trench, Low charge, Planar.
Области применения:
• Источники бесперебойного питания,
• DC/DC преобразователи;
• PWM контроллеры;
• Бытовая техника;
• Сварочное оборудование;
• Автоэлектроника.
Артикул | AnB32P03L |
---|---|
Vds(max) | -30 |
Id(max) | -32 |
VGS(th) | -2.2 – -0.7 |
RDS(on) | 0.04 |
Корпус | ТО263 |
Тип технологии | Planar |
Готовность производства | Опытные образцы, серийное производство II-III кв. 2017 |