AnB32P03L

Полевые MOSFET-транзисторы производства «Ангстрем» - это полностью российская разработка, выпускающаяся на кристаллах собственной разработки и не уступающая по характеристикам мировым аналогам.

Произведенные по улучшенной планарной технологии, транзисторы имеют более низкие значения входной емкости и заряда затвора, которые обеспечивают меньшие потери при работе на динамической нагрузке.

Линейка планарных P-channel транзисторов выполнена в диапазоне: 

• Напряжение от -30 до -200 В,
• Ток от -6 до -32 А,
• Сопротивление 40 мОм до 250 мОм.

Линейка trench P-channel транзисторов выполнена в диапазоне: 

• Напряжение от -30 до -100 В,
• Ток от -16 до -52 А, 
• Сопротивление от 15 до 110 мОм. 

Доступные корпуса: TO-220, ТО-247, TO-251, TO-252, TO-263.

Основные преимущества используемых технологий:

• Planar: повышенная устойчивость к воздействию энергии лавинного пробоя. Надежность в работе.
• Trench: компактные размеры, более плотная упаковка, большие значения тока, меньшее сопротивление открытого канала. Это позволяет использовать данный тип MOSFET в приборах большой мощности за счет увеличения значения PD.
• Low charge: низкие потери при переключении в связи с низким зарядом затвора и низкой входной емкостью.

Дополнительно вся продукция тестируется на устойчивость к энергии лавинного пробоя.

Вся продукция проходит строгий контроль качества и выполнена по стандарту ISO 9001:2008.

Преимущества:

• Низкое значение заряда затвора QG;
• Легкость параллельного включения;
• Частота переключения до 100 кГц;
• Низкое значение входной емкости Сiss;
• Низкое сопротивление RDS(on);
• Вся продукция проходит стресс-тест на устойчивость к лавинному пробою (100% Avalanche test);
• Технологии: Trench, Low charge, Planar.

Области применения:

• Источники бесперебойного питания,
• DC/DC преобразователи;
• PWM контроллеры;
• Бытовая техника;
• Сварочное оборудование;
• Автоэлектроника.