AnM200HBEB12M
Ангстрем

AnM200HBEB12M

Вы здесь

AnM200HBEB12M

IGBT-модули представляют собой силовые сборки, в основу которых входят параллельно включенные IGBT - транзисторы и быстровосстанавливающиеся диоды (FRD).

Силовые модули «Ангстрем» - это полностью российские модули, выпускающиеся на отечественных кристаллах собственной разработки и не уступающие по характеристикам мировым аналогам. Для изготовления IGBT транзисторов используется собственная технология NPT+, позволяющая получить ряд преимуществ перед аналогами: повышенная надежность конструкции и низкие потери энергии при переключении транзистора.

Линейка модулей выполнена в диапазонах:

• Напряжение от 650 до 1700 В,
• Ток от 75 до 600 А.

Модули выпускаются в современных и широко используемых корпусах с шириной основания 34 и 62 мм (MPP-34, MPP-62, MPP-62-2).

Доступны в различных конфигурациях: полумост (Half Bridge), верхний чоппер (High side chopper), нижний чоппер (Low side chopper), с общим эмиттером (Common Emitter), одиночные ключи (Single switch).

Вся продукция проходит строгий контроль качества и выполнена по стандарту ISO 9001:2008.

Преимущества:

• Технология NPT+;
• Положительный температурный коэффициент VCE(sat);
• Большая плотность тока; - Легкость параллельного включения;
• Высокая частота переключения;
• Низкие потери энергии при переключении;
• Низкие значения емкостей Cies, Coes, Cres;
• прямоугольная область безопасной работы;
• Самоограничение по току КЗ - особая конструкция кристалла позволяет выдерживать пятикратный ток короткого замыкания в течение 60 мкс при повышенных напряжении и температуре;
• Мягкое, быстрое восстановление диода;
• Низкое прямое падение напряжения на диоде.

Области применения:

• Источники бесперебойного питания,
• Инверторы;
• Электроприводы;
• Промышленные преобразователи;
• Сварочное оборудование;
• Преобразователи для солнечных и ветряных станций,
• РЖД и общественный электротранспорт.

 

Артикул
AnM200HBEB12M
Максимальный ток коллектора
200А
Максимальное пробивное напряжение коллектор-эмиттер
1200В
Vge(th)
4.0 - 7.0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2.30В
Корпус
MPP62
Топология
Common Emitter
Тип технологии
NPT+
Готовность производства
Серийно освоены
Документация: