AnR15IGB12D
Ангстрем

AnR15IGB12D

Вы здесь

AnR15IGB12D

IGBT транзисторы используются как силовые ключи для работы в областях высоких напряжений и токов.

Силовые IGBT транзисторы производства «Ангстрем» выпускаются на кристаллах собственного производства и выполнены по уникальной технологии NPT+. Основные преимущества технологии, по сравнению с другими аналогами: повышенная надежность конструкции и низкие потери энергии при переключении транзистора.

Линейка IGBT транзисторов представлена в следующих диапазонах:

• напряжение от 600 до 1700 В,
• ток от 15 до 100 А.

Доступные корпуса: ТО-247, SOT-227 (конфигурации с антипараллельным диодом, без диода)

Вся продукция проходит строгий контроль качества и выполнена по стандарту ISO 9001:2008.

Преимущества:

• Технология NPT+;
• Положительный температурный коэффициент VCE(sat);
• Большая плотность тока;
• Легкость параллельного включения;
• Высокая частота переключения;
• Низкие потери энергии при переключении;
• Низкие значения емкостей Cies, Coes, Cres;
• прямоугольная область безопасной работы;
• Самоограничение по току КЗ
• особая конструкция кристалла позволяет выдерживать пятикратный ток короткого замыкания в течение 60 мкс при повышенных напряжении и температуре;
• Мягкое, быстрое восстановление диода;
• Низкое прямое падение напряжения на диоде.

Области применения:

• Бытовая техника;
• Электроприводы;
• Промышленные преобразователи;
• Сварочное оборудование;
• Управление моторами.

 

Артикул
AnR15IGB12D
Готовность производства
Опытные образцы, серийное производство II-III кв. 2017
Максимальный ток коллектора
15А
Максимальное пробивное напряжение коллектор-эмиттер
1200В
Vge(th)
3,6
Vce(sat)
3
Тип технологии
NPT
Топология
IGBT + Inverse diode
Корпус
ТО247
Документация: