Дискретные IGBT
Ангстрем

Дискретные IGBT

Вы здесь

Готовность производства
Vce
Ic
Тип технологии
Корпус
Название Vce Ic Тип технологии Топология Готовность производства
AnR15IGB12D 1200В 15А NPT IGBT + Inverse diode Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnR25IGB12D 1200В 25А NPT IGBT + Inverse diode Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnR40IGB12D 1200В 40А NPT IGBT + Inverse diode Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnR50IGB12 1200В 50А NPT IGBT Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnS75IGB12D 1200В 75А NPT+ IGBT + Inverse diode Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnS100IGB12D 1200В 100А NPT+ IGBT + Inverse diode Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnR75IGB12 1200В 75А NPT IGBT Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnR50IGB17 1700В 50А NPT IGBT Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnR30IGB17 1700В 30А NPT IGBT Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnR6IGB17D 1700В NPT+ IGBT + Inverse diode Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnR100IGB06 600В 60А NPT IGBT Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17