Дискретные IGBT
Ангстрем

Дискретные IGBT

Вы здесь

Готовность производства
Vce
Ic
Тип технологии
Корпус
Название Vceсортировать по убыванию Ic Исполнение Топология Готовность производства Размер кристалла, мм
AnR15IGB12D 1200В 15А NPT IGBT + Inverse diode Опытные образцы, серийное производство II-III кв. 2017
AnR25IGB12D 1200В 25А NPT IGBT + Inverse diode Опытные образцы, серийное производство II-III кв. 2017
AnR40IGB12D 1200В 40А NPT IGBT + Inverse diode Опытные образцы, серийное производство II-III кв. 2017
AnR50IGB12 1200В 50А NPT IGBT Опытные образцы, серийное производство II-III кв. 2017
AnS75IGB12D 1200В 75А NPT+ IGBT + Inverse diode Опытные образцы, серийное производство II-III кв. 2017
AnR30IGB17 1700В 30А NPT IGBT Опытные образцы, серийное производство II-III кв. 2017
AnR6IGB17D 1700В NPT+ IGBT + Inverse diode Опытные образцы, серийное производство II-III кв. 2017