Дискретные MOSFET(N-channel)
Ангстрем

Дискретные MOSFET(N-channel)

Вы здесь

Готовность производства
Тип технологии
Корпус
Vds(max)
Id(max)
RDS(on)
Название Vds(max), В Id(max), А RDS(on), Ом Тип технологии Готовность производства
AnP90N03 30 90 (75) 0.005 Trench Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnB90N03 30 90 (75) 0.005 Trench Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnP70N06 60 70 (50) 0.0083 Trench Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnB70N06 60 70 (50) 0.0083 Trench Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnP50N10 100 50 (42) 0.014 Trench Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnB50N10 100 50 (42) 0.014 Trench Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnR7N80 800 7 1,8 Low charge Опытные образцы
AnR10N70 700 10 1 Low charge Опытные образцы
AnR14N60 600 14 0.55 Low charge Опытные образцы
AnR16N50 500 16 0.4 Low charge Опытные образцы
AnP4N80 800 3 3,5 Low charge Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnB4N80 800 3 3,5 Low charge Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnP5N70 700 5 2 Low charge Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnB5N70 700 5 2 Low charge Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnP6N65 650 6 1,5 Low charge Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnB6N65 650 6 1,5 Low charge Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnP7N60 600 7 0.75 Low charge Новая разработка
AnB7N60 600 7 0.75 Low charge Новая разработка
AnP8N50 500 8 1 Low charge Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnB8N50 500 8 1 Low charge Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnU5N50Z 500 4,5 1,5 Zener diode Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnD5N50Z 500 4,5 1,5 Zener diode Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnU3N50Z 500 3 2,7 Zener diode Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnD3N50Z 500 3 2,7 Zener diode Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnU4N70 700 4 3,2 Low charge Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17

Страницы