Дискретные MOSFET(N-channel)
Ангстрем

Дискретные MOSFET(N-channel)

Вы здесь

Готовность производства
Тип технологии
Корпус
Vds(max)
Id(max)
RDS(on)
Название Vds(max), Всортировать по убыванию Id(max), А RDS(on), Ом Исполнение Готовность производства Размер кристалла, мм
AnP90N03 30 90 (75) 0.005 Trench Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnB75N03 30 75 0.0026 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnB90N03 30 90 (75) 0.005 Trench Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnP91N03 30 91 0.005 Trench Новая разработка
AnB91N03 30 91 0.005 Trench Новая разработка
AnR37N03 30 37 0.009 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnU50N03 30 50 0.01 Trench Новая разработка
AnP46N03L 30 46 0.02 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnD50N03 30 50 0.01 Trench Новая разработка
AnP46N03 30 46 0.02 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnB46N03L 30 46 0.02 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnB46N03 30 46 0.02 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnD30N06 60 30 0.015 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnP45N06 60 45 0.024 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnB50N06 60 50 0.0083 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnB45N06 60 45 0.024 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnP70N06 60 70 (50) 0.0083 Trench Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnU20N06 60 20 0.06 Low charge Новая разработка
AnB70N06 60 70 (50) 0.0083 Trench Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnR55N06 60 55 0.01 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnD20N06 60 20 0.06 Low charge Новая разработка
AnP65N06 60 65 0.01 Trench Новая разработка
AnB65N06 60 65 0.01 Trench Новая разработка
AnU35N06 60 35 0.02 Trench Новая разработка
AnD35N06 60 35 0.02 Trench Новая разработка

Страницы