Дискретные MOSFET(N-channel)
Ангстрем

Дискретные MOSFET(N-channel)

Вы здесь

Готовность производства
Тип технологии
Корпус
Vds(max)
Id(max)
RDS(on)
Название Vds(max), Всортировать по убыванию Id(max), А RDS(on), Ом Исполнение Готовность производства
AnD14N10L 100 14 0.1 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnU12N10L 100 12 0.1 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnD28N10 100 28 0.034 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnP53N10 100 53 0.015 Trench Новая разработка
AnB26N10L 100 26 0.05 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnD14N10 100 14 0.1 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnD12N10L 100 12 0.1 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnU30N10L 100 30 0.05 Trench Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnB53N10 100 53 0.015 Trench Новая разработка
AnR20N12L 120 20 0.018 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnP12N20L 200 12 0.2 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnP12N20 200 12 0.2 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnB12N20L 200 12 0.2 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnB12N20 200 12 0.2 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnR27N20 200 27 0.08 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnP18N20 200 18 0.15 Опытные образцы
AnR35N20 200 35 0.055 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnU9N20 200 9 0.32 Low charge Новая разработка
AnR10N20L 200 10 0.05 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnD9N20 200 9 0.32 Low charge Новая разработка
AnR40N20 200 40 0.065 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnU4N25 250 4 0.45 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnD4N25 250 4 0.45 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnU6N40 400 6 0.7 Low charge Новая разработка
AnD6N40 400 6 0.7 Low charge Новая разработка

Страницы