Дискретные MOSFET(N-channel)
Ангстрем

Дискретные MOSFET(N-channel)

Вы здесь

Готовность производства
Тип технологии
Корпус
Vds(max)
Id(max)
RDS(on)
Название Vds(max), Всортировать по убыванию Id(max), А RDS(on), Ом Исполнение
AnD14N10L 100 14 0.1 Planar
AnU12N10L 100 12 0.1 Planar
AnD28N10 100 28 0.034 Planar
AnP53N10 100 53 0.015 Trench
AnB26N10L 100 26 0.05 Planar
AnD14N10 100 14 0.1 Planar
AnD12N10L 100 12 0.1 Planar
AnU30N10L 100 30 0.05 Trench
AnB53N10 100 53 0.015 Trench
AnR20N12L 120 20 0.018 Planar
AnP12N20L 200 12 0.2 Planar
AnP12N20 200 12 0.2 Planar
AnB12N20L 200 12 0.2 Planar
AnB12N20 200 12 0.2 Planar
AnR27N20 200 27 0.08 Planar
AnP18N20 200 18 0.15
AnR35N20 200 35 0.055 Planar
AnU9N20 200 9 0.32 Low charge
AnR10N20L 200 10 0.05 Planar
AnD9N20 200 9 0.32 Low charge
AnR40N20 200 40 0.065 Planar
AnU4N25 250 4 0.45 Planar
AnD4N25 250 4 0.45 Planar
AnU6N40 400 6 0.7 Low charge
AnD6N40 400 6 0.7 Low charge

Страницы