Дискретные MOSFET(N-channel)
Ангстрем

Дискретные MOSFET(N-channel)

Вы здесь

Готовность производства
Тип технологии
Корпус
Vds(max)
Id(max)
RDS(on)
Название Vds(max), В Id(max), А RDS(on), Ом Исполнение Готовность производства Размер кристалла, мм
AnP45N06 60 45 0.024 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnB45N06 60 45 0.024 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnR37N03 30 37 0.009 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnR55N06 60 55 0.01 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnR27N20 200 27 0.08 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnR35N20 200 35 0.055 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnU14N10L 100 14 0.1 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnU14N10 100 14 0.1 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnD14N10L 100 14 0.1 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnD14N10 100 14 0.1 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnR9N65 650 8,5 0.93 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnU6N40 400 6 0.7 Low charge Новая разработка
AnD6N40 400 6 0.7 Low charge Новая разработка
AnU4N25 250 4 0.45 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnD4N25 250 4 0.45 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnR40N08L 80 40 0.009 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnR20N12L 120 20 0.018 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnR10N20L 200 10 0.05 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnU28N10 100 28 0.034 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnD28N10 100 28 0.034 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnU30N06 60 30 0.015 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnD30N06 60 30 0.015 Planar Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17
AnP91N03 30 91 0.005 Trench Новая разработка
AnB91N03 30 91 0.005 Trench Новая разработка
AnU50N03 30 50 0.01 Trench Новая разработка

Страницы