Дискретные MOSFET(N-channel)
Ангстрем

Дискретные MOSFET(N-channel)

Вы здесь

Готовность производства
Тип технологии
Корпус
Vds(max)
Id(max)
RDS(on)
Название Vds(max), В Id(max), А RDS(on), Ом Исполнение
AnD50N03 30 50 0.01 Trench
AnP65N06 60 65 0.01 Trench
AnB65N06 60 65 0.01 Trench
AnU35N06 60 35 0.02 Trench
AnD35N06 60 35 0.02 Trench
AnP53N10 100 53 0.015 Trench
AnB53N10 100 53 0.015 Trench
AnU29N10 100 29 0.03 Trench
AnD29N10 100 29 0.03 Trench
AnU20N06 60 20 0.06 Low charge
AnD20N06 60 20 0.06 Low charge
AnU17N10 100 17 0.09 Low charge
AnD17N10 100 17 0.09 Low charge
AnU9N20 200 9 0.32 Low charge
AnD9N20 200 9 0.32 Low charge
AnP11N40 400 11 0.35 Low charge
AnB11N40 400 11 0.35 Low charge
AnP4N90 900 4 2,3 Low charge
AnB4N90 900 4 2,3 Low charge
AnU2N90 900 2 5 Low charge
AnD2N90 900 2 5 Low charge
AnP3N120 1200 3 4,7 Low charge
AnB3N120 1200 3 4,7 Low charge
AnU2N120 1200 2 11 Low charge
AnD2N120 1200 2 11 Low charge

Страницы