Дискретные MOSFET(N-channel)
Ангстрем

Дискретные MOSFET(N-channel)

Вы здесь

Готовность производства
Тип технологии
Корпус
Vds(max)
Id(max)
RDS(on)
Название Vds(max), В Id(max), А RDS(on), Ом Исполнение Готовность производства Размер кристалла, мм
AnD50N03 30 50 0.01 Trench Новая разработка
AnP65N06 60 65 0.01 Trench Новая разработка
AnB65N06 60 65 0.01 Trench Новая разработка
AnU35N06 60 35 0.02 Trench Новая разработка
AnD35N06 60 35 0.02 Trench Новая разработка
AnP53N10 100 53 0.015 Trench Новая разработка
AnB53N10 100 53 0.015 Trench Новая разработка
AnU29N10 100 29 0.03 Trench Новая разработка
AnD29N10 100 29 0.03 Trench Новая разработка
AnU20N06 60 20 0.06 Low charge Новая разработка
AnD20N06 60 20 0.06 Low charge Новая разработка
AnU17N10 100 17 0.09 Low charge Новая разработка
AnD17N10 100 17 0.09 Low charge Новая разработка
AnU9N20 200 9 0.32 Low charge Новая разработка
AnD9N20 200 9 0.32 Low charge Новая разработка
AnP11N40 400 11 0.35 Low charge Новая разработка
AnB11N40 400 11 0.35 Low charge Новая разработка
AnP4N90 900 4 2,3 Low charge Новая разработка
AnB4N90 900 4 2,3 Low charge Новая разработка
AnU2N90 900 2 5 Low charge Новая разработка
AnD2N90 900 2 5 Low charge Новая разработка
AnP3N120 1200 3 4,7 Low charge Новая разработка
AnB3N120 1200 3 4,7 Low charge Новая разработка
AnU2N120 1200 2 11 Low charge Новая разработка
AnD2N120 1200 2 11 Low charge Новая разработка

Страницы