Дискретные MOSFET(N-channel)
Ангстрем

Дискретные MOSFET(N-channel)

Вы здесь

Готовность производства
Тип технологии
Корпус
Vds(max)
Id(max)
RDS(on)
Название Vds(max), В Id(max), А RDS(on), Ом Исполнение Готовность производства Размер кристалла, мм
AnP2N150 1500 2 7 Low charge Новая разработка
AnB2N150 1500 2 7 Low charge Новая разработка
AnU1N150 1500 1 16 Low charge Новая разработка
AnD1N150 1500 1 16 Low charge Новая разработка
AnP10N80 800 10 0.9 Опытные образцы
AnP8N80 800 8 1,55 Опытные образцы
AnP6N80 800 5,5 2,7 Опытные образцы
AnD8N65 650 8 0.62 Опытные образцы
AnP18N20 200 18 0.15 Опытные образцы
AnR200N10 100 200 6 Опытные образцы

Страницы