Дискретные MOSFET(P-channel)
Ангстрем

Дискретные MOSFET(P-channel)

Вы здесь

Готовность производства
Тип технологии
Корпус
Id(max)
RDS(on)
Название Vds(max), В Id(max), А RDS(on), Ом Исполнение Готовность производства Размер кристалла, мм
AnD14P06 -60 14 0.13 Low charge Новая разработка
AnU11P10 -100 11 0.2 Low charge Новая разработка
AnD11P10 -100 11 0.2 Low charge Новая разработка
AnU5P20 -200 5 0.85 Low charge Новая разработка
AnD5P20 -200 5 0.85 Low charge Новая разработка

Страницы