IGBT-модули
Ангстрем

IGBT-модули

Вы здесь

Готовность производства
Vce
Ic
Vce(sat)
Тип технологии
Корпус
Название Vce Ic Vce(sat)сортировать по убыванию Исполнение Топология Готовность производства Размер кристалла, мм
AnM150HBA07M 650В 150А 1.9В NPT+ Half Bridge Новая разработка
AnM200HBB07M 650В 200А 1.9В NPT+ Half Bridge Новая разработка
AnM300HBB07M 650В 300А 1.9В NPT+ Half Bridge Новая разработка
AnM100HBA07M 650В 100А 2.2В NPT+ Half Bridge Новая разработка
AnM150RCA07M 700В 150А 2.2В NPT+ Low side chopper Новая разработка
AnM100LCA07M 650В 100А 2.2В NPT+ High side chopper Новая разработка
AnM200RCB07M 700В 200А 2.2В NPT+ Low side chopper Новая разработка
AnM300RCB07M 700В 300А 2.2В NPT+ Low side chopper Новая разработка
AnM75RCA12M 1200В 75А 2.2В NPT+ Low side chopper Новая разработка
AnM75HBA12M 1200В 75А 2.2В NPT+ Half Bridge Новая разработка
AnM100RCA12M 1200В 100А 2.2В NPT+ Low side chopper Серийно освоены
AnM100HBA12M 1200В 100А 2.2В NPT+ Half Bridge Серийно освоены
AnM75LCA12M 1200В 75А 2.2В NPT+ High side chopper Новая разработка
AnM150RCB12M 1200В 150А 2.2В NPT+ Low side chopper Серийно освоены
AnM150HBB12M 1200В 150А 2.2В NPT+ Half Bridge Серийно освоены
AnM100LCA12M 1200В 100А 2.2В NPT+ High side chopper Серийно освоены
AnM150LCB12M 1200В 150А 2.2В NPT+ High side chopper Серийно освоены
AnM100RCA17M 1700В 100А 2.2В NPT+ Low side chopper Серийно освоены
AnM100RCA07M 700В 100А 2.2В NPT+ Low side chopper Новая разработка
AnM200RCB12M 1200В 200А 2.3В NPT+ Low side chopper Серийно освоены
AnM200HBB12M 1200В 200А 2.3В NPT+ Half Bridge Серийно освоены
AnM200HBEB12M 1200В 200А 2.3В NPT+ Common Emitter Серийно освоены
AnM200LCB12M 1200В 200А 2.3В NPT+ High side chopper Серийно освоены
AnM75RCA17M 1700В 75А 2.3В NPT+ Low side chopper Серийно освоены
AnM75LCA17M 1700В 75А 2.3В NPT+ High side chopper Серийно освоены

Страницы