«Ангстрем» принял участие в форуме «Микроэлектроника 2023»

1 ноя 2023

АО «Ангстрем» принял участие в российском форуме «Микроэлектроника 2023», который прошел 9-14 октября в Парке науки и искусства «Сириус». Новые разработки и доклады «Ангстрема» были представлены в нескольких секциях и круглых столах. В работе форума в пленарном заседании приняли участие генеральный директор Воронцов С.В. и первый заместитель генерального директора Плис Н.И.

Темы докладов:

«Особенности технологии прецизионных радиационно-стойких микросхем операционных усилителей с малыми входными токами». Докладчик: начальник отдела аналого-цифровых и специальных технологий Трудновская Евгения Андреевна.
«Полузаказные БИС на основе радиационно-стойких БМК. Импортозамещение ПЛИС в БМК».
Докладчик: ведущий специалист по продажам Сергеева Наталья Николаевна.
«Разработка микросхем An4140 и An4259 и технологии изготовления СВЧ КМОП ИС на структурах
ультратонкого кремния на сапфире». Докладчик: начальник службы инновационных технологий Романов Александр Аркадьевич.
«Исследование влияния режимов термического окисления на форму и размеры острия кремниевых игл кантилеверов». Докладчик: руководитель лаборатории осаждения Новак Андрей Викторович.

Рассмотрены особенности конструкции и технологии изготовления прецизионных операционных усилителей с малыми входными токами. Показана возможность повышения радиационной стойкости ОУ переходом от технологии с нестойкими латеральными PNP транзисторами к более сложному комплементарному биполярному процессу с вертикальными NPN и PNP транзисторами (серия 1494). Дополнение технологии радиационно-стойких микросхем ОУ опцией формирование JFET транзисторов и тонкопленочных резисторов (ТПР) для разработки микросхем ОУ серии 1496 с малыми входными токами не более 45 пА, работающих в расширенном диапозоне питающих напряжений.

Разработаны микросхемы An4140 и An4259 и технология изготовления СВЧ КМОП ИС на структурах ультратонкого кремния на сапфире. Характеристики микросхем An4140 и An4259 полностью идентичны характеристикам их зарубежных аналогов, - СВЧ микросхем РЕ4140 и РЕ4259 фирмы Murata, pSemi (Peregrine Semiconductor, USA). Данная технология позволяет соединить производство СВЧ ИС с технологическим процессом, близким к стандартному КМОП процессу на кремнии и избежать в некоторых случаях использования дорогостоящих эпитаксиальных структур на основе арсенида галлия. Развитие этого направления позволит АО «Ангстрем» выйти на новый сегмент рынка, - разработку и производство микросхем СВЧ диапазона.