
IGBT транзисторы используются как силовые ключи для работы в областях высоких напряжений и токов.
Силовые IGBT транзисторы производства «Ангстрем» выпускаются на кристаллах собственного производства и выполнены по уникальной технологии NPT+. Основные преимущества технологии, по сравнению с другими аналогами: повышенная надежность конструкции и низкие потери энергии при переключении транзистора.
Линейка IGBT транзисторов представлена в следующих диапазонах:
• напряжение от 600 до 1700 В,
• ток от 15 до 100 А.
Доступные корпуса: ТО-247, SOT-227 (конфигурации с антипараллельным диодом, без диода)
Вся продукция проходит строгий контроль качества и выполнена по стандарту ISO 9001:2008.
Преимущества:
• Технология NPT+;
• Положительный температурный коэффициент VCE(sat);
• Большая плотность тока;
• Легкость параллельного включения;
• Высокая частота переключения;
• Низкие потери энергии при переключении;
• Низкие значения емкостей Cies, Coes, Cres;
• прямоугольная область безопасной работы;
• Самоограничение по току КЗ
• особая конструкция кристалла позволяет выдерживать пятикратный ток короткого замыкания в течение 60 мкс при повышенных напряжении и температуре;
• Мягкое, быстрое восстановление диода;
• Низкое прямое падение напряжения на диоде.
Области применения:
• Бытовая техника;
• Электроприводы;
• Промышленные преобразователи;
• Сварочное оборудование;
• Управление моторами.
Артикул | AnR25IGB12D |
---|---|
Готовность производства | Опытные образцы, серийное производство II-III кв. 2017 |
Максимальный ток коллектора | 25А |
Максимальное пробивное напряжение коллектор-эмиттер | 1200В |
Vge(th) | 3,6 |
Vce(sat) | 3 |
Тип технологии | NPT |
Топология | IGBT + Inverse diode |
Корпус | ТО247 |