IGBT-модули
Ангстрем

IGBT-модули

Вы здесь

Готовность производства
Vce
Ic
Vce(sat)
Тип технологии
Корпус

Силовые IGBT модули

Силовые IGBT модули производства АО «Ангстрем» оптимизированы по своим параметрам за счет подбора пары IGBT+FRD.

SOT-227МПК-20МПК-34

МПК-62МПК-ЭПрижимные IGBT модули

 

Преимущества IGBT модулей «Ангстрем»

  • Стойкость к току короткого замыкания до 40 мкс (импортные аналоги до 10мкс),
  • Повышенное количество рабочих циклов по сравнению с аналогами – более надежные и долговременные изделия.
  • Использование парных кристаллов (IGBT и FRD), специально разработанных для модулей,
  • Легкость параллельного включения
  • Положительный температурный коэффициент параметра VCE(sat)
  • Самоограничение по току короткого замыкания
  • Низкая входная/выходная/проходная емкость
  • 100% контроль на двойной импульс тока
  • Изолированное основание
  • Полностью отечественная сборка.

 

Серийный выпуск

 

Серийно выпускаются модули 650 В, 1200 В, 1700 В. Модули номиналом 2500 В, 2500 А представлены опытными образцами.

В конце 2020 года будут доступны модули с приемкой ВП.

Транзисторные IGBT модули «Ангстрем» - состоят из параллельно включенных биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ) и быстровосстанавливающихся диодов (БВД) собственной разработки и производства. Модули IGBT транзисторов и FRD диодов не уступают по характеристикам импортным аналогам Мitsubishi, Semikron, Infineon и др. Для производства транзисторных модулей используется собственная технология NPT+, позволяющая получить ряд преимуществ перед аналогами: повышенную надежность конструкции и низкие потери энергии при переключении транзистора.

 

Схемы IGBT модулей

Полумост

Half-Bridge

Dual-Module-(полумост)

Ключ верхнего уровня

Right Chopper

left_chopper

Ключ нижнего уровня

Left Chopper

right_chopper

 

Управление IGBT модулями

 

IGBT-ДРАЙВЕР ДР 8/1700

Двухканальный драйвер, предназначен для управления IGBT-модулями.

 

Описание

  • Компактные размеры 45 мм х 34,3 мм х 16 мм
  • Широкие возможности применения
  • Высокая надежность
  • Управление многоуровневой топологией

 

Функциональный аналог

2SC0108T Power Integrations (США)

 

Основные характеристики

  • При рабочей температуре Т = 25°С
  • Напряжение питания – 15 В ± 1 В
  • Ток потребления, при FIN = 50 кГц – 100 мА
  • Максимальная выходная мощность на канал – 1 Вт
  • Напряжение затвора – +15/-8 В
  • Пиковый выходной ток (ток затвора) – от -8 А до +8 А
  • Максимальная частота управляющего сигнала FIN до 50 кГц
  • Температурный диапазон от -40°С до + 85°С.

 

Обозначение IGBT

Название Vceсортировать по убыванию Ic Vce(sat) Исполнение Топология
AnM100HBA07M 650В 100А 2.2В NPT+ Half Bridge
AnM150HBA07M 650В 150А 1.9В NPT+ Half Bridge
AnM200HBB07M 650В 200А 1.9В NPT+ Half Bridge
AnM300HBB07M 650В 300А 1.9В NPT+ Half Bridge
AnM100LCA07M 650В 100А 2.2В NPT+ High side chopper
AnM150LCA07M 650В 150А 3.0В NPT+ High side chopper
AnM200LCB07M 650В 200А 3.0В NPT+ High side chopper
AnM300LCB07M 650В 300А 3.0В NPT+ High side chopper
AnM150RCA07M 700В 150А 2.2В NPT+ Low side chopper
AnM400SSC07M 700В 400А 3.0В NPT+ Single switch
AnM200RCB07M 700В 200А 2.2В NPT+ Low side chopper
AnM600SSC07M 700В 600А 3.0В NPT+ Single switch
AnM300RCB07M 700В 300А 2.2В NPT+ Low side chopper
AnM100RCA07M 700В 100А 2.2В NPT+ Low side chopper
AnM75LCA12M 1200В 75А 2.2В NPT+ High side chopper
AnM100LCA12M 1200В 100А 2.2В NPT+ High side chopper
AnM150LCB12M 1200В 150А 2.2В NPT+ High side chopper
AnM300SSC12M 1200В 300А 2.5В NPT+ Single switch
AnM200LCB12M 1200В 200А 2.3В NPT+ High side chopper
AnM75RCA12M 1200В 75А 2.2В NPT+ Low side chopper
AnM400SSC12M 1200В 400А 2.5В NPT+ Single switch
AnM300LCB12M 1200В 300А 2.4В NPT+ High side chopper
AnM75HBA12M 1200В 75А 2.2В NPT+ Half Bridge
AnM100RCA12M 1200В 100А 2.2В NPT+ Low side chopper
AnM600SSC12M 1200В 600А 2.5В NPT+ Single switch

Страницы