IGBT-модули
Ангстрем

IGBT-модули

Вы здесь

Готовность производства
Vce
Ic
Vce(sat)
Тип технологии
Корпус

Силовые IGBT модули «Ангстрем» - это полностью российские IGBT модули, состоящие из параллельно включенных биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ) и быстровосстанавливающихся диодов (БВД) собственной разработки и производства. Модули IGBT транзисторов и FRD диодов не уступают по характеристикам импортным аналогам Мitsubishi, Semikron, Infineon и др. Для производства транзисторных модулей используется собственная технология NPT+, позволяющая получить ряд преимуществ перед аналогами: повышенную надежность конструкции и низкие потери энергии при переключении транзистора.

Управление IGBT модулями может осуществляться при помощи двухканальных драйверов производства АО «Ангстрем» ДР 8/1700 и 2629КР014.

 

Линейка IGBT модулей

Напряжение от 650 до 1700 В, ток от 75 до 600 А.

Модули выпускаются в современных широко используемых корпусах с шириной основания 34 и 62 мм: PP-34, MPP-62, MPP-62-2. Доступны в различных конфигурациях: полумост (Half Bridge), верхний чоппер (High side chopper), нижний чоппер (Low side chopper), с общим эмиттером (Common Emitter), одиночные ключи (Single switch).

Вся продукция проходит проверку. Строгий контроль качества и выполнен по стандарту ISO 9001:2008.

 

Преимущества IGBT модули «Ангстрем»

  • Технология NPT+;
  • Положительный температурный коэффициент VCE(sat);
  • Большая плотность тока; - Легкость параллельного включения;
  • Высокая частота переключения;
  • Низкие потери энергии при переключении;
  • Низкие значения емкостей Cies, Coes, Cres;
  • Прямоугольная область безопасной работы;
  • Самоограничение по току КЗ - особая конструкция кристалла позволяет выдерживать пятикратный ток короткого замыкания в течение 60 мкс при повышенных напряжении и температуре;
  • Мягкое, быстрое восстановление диода;
  • Низкое прямое падение напряжения на диоде.

 

Области применения 

  • Источники бесперебойного питания,
  • Инверторы;
  • Электроприводы;
  • Промышленные преобразователи;
  • Сварочное оборудование;
  • Преобразователи для солнечных и ветряных станций,
  • РЖД и общественный электротранспорт.

Обозначение IGBT

Название Vce Ic Vce(sat)сортировать по убыванию Исполнение Топология
AnM150HBA07M 650В 150А 1.9В NPT+ Half Bridge
AnM200HBB07M 650В 200А 1.9В NPT+ Half Bridge
AnM300HBB07M 650В 300А 1.9В NPT+ Half Bridge
AnM100HBA07M 650В 100А 2.2В NPT+ Half Bridge
AnM150RCA07M 700В 150А 2.2В NPT+ Low side chopper
AnM100LCA07M 650В 100А 2.2В NPT+ High side chopper
AnM200RCB07M 700В 200А 2.2В NPT+ Low side chopper
AnM300RCB07M 700В 300А 2.2В NPT+ Low side chopper
AnM75RCA12M 1200В 75А 2.2В NPT+ Low side chopper
AnM75HBA12M 1200В 75А 2.2В NPT+ Half Bridge
AnM100RCA12M 1200В 100А 2.2В NPT+ Low side chopper
AnM100HBA12M 1200В 100А 2.2В NPT+ Half Bridge
AnM75LCA12M 1200В 75А 2.2В NPT+ High side chopper
AnM150RCB12M 1200В 150А 2.2В NPT+ Low side chopper
AnM150HBB12M 1200В 150А 2.2В NPT+ Half Bridge
AnM100LCA12M 1200В 100А 2.2В NPT+ High side chopper
AnM150LCB12M 1200В 150А 2.2В NPT+ High side chopper
AnM100RCA17M 1700В 100А 2.2В NPT+ Low side chopper
AnM100RCA07M 700В 100А 2.2В NPT+ Low side chopper
AnM200RCB12M 1200В 200А 2.3В NPT+ Low side chopper
AnM200HBB12M 1200В 200А 2.3В NPT+ Half Bridge
AnM200HBEB12M 1200В 200А 2.3В NPT+ Common Emitter
AnM200LCB12M 1200В 200А 2.3В NPT+ High side chopper
AnM75RCA17M 1700В 75А 2.3В NPT+ Low side chopper
AnM75LCA17M 1700В 75А 2.3В NPT+ High side chopper

Страницы