IGBT-модули
Ангстрем

IGBT-модули

Вы здесь

Готовность производства
Vce
Ic
Vce(sat)
Тип технологии
Корпус

Силовые IGBT модули «Ангстрем» - это полностью российские IGBT модули, состоящие из параллельно включенных биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ) и быстровосстанавливающихся диодов (БВД) собственной разработки и производства. Модули IGBT транзисторов и FRD диодов не уступают по характеристикам импортным аналогам Мitsubishi, Semikron, Infineon и др. Для производства транзисторных модулей используется собственная технология NPT+, позволяющая получить ряд преимуществ перед аналогами: повышенную надежность конструкции и низкие потери энергии при переключении транзистора.

Управление IGBT модулями может осуществляться при помощи двухканальных драйверов производства АО «Ангстрем» ДР 8/1700 и 2629КР014.

 

Линейка IGBT модулей

Напряжение от 650 до 1700 В, ток от 75 до 600 А.

Модули выпускаются в современных широко используемых корпусах с шириной основания 34 и 62 мм: PP-34, MPP-62, MPP-62-2. Доступны в различных конфигурациях: полумост (Half Bridge), верхний чоппер (High side chopper), нижний чоппер (Low side chopper), с общим эмиттером (Common Emitter), одиночные ключи (Single switch).

Вся продукция проходит проверку. Строгий контроль качества и выполнен по стандарту ISO 9001:2008.

 

Преимущества IGBT модули «Ангстрем»

  • Технология NPT+;
  • Положительный температурный коэффициент VCE(sat);
  • Большая плотность тока; - Легкость параллельного включения;
  • Высокая частота переключения;
  • Низкие потери энергии при переключении;
  • Низкие значения емкостей Cies, Coes, Cres;
  • Прямоугольная область безопасной работы;
  • Самоограничение по току КЗ - особая конструкция кристалла позволяет выдерживать пятикратный ток короткого замыкания в течение 60 мкс при повышенных напряжении и температуре;
  • Мягкое, быстрое восстановление диода;
  • Низкое прямое падение напряжения на диоде.

 

Области применения 

  • Источники бесперебойного питания,
  • Инверторы;
  • Электроприводы;
  • Промышленные преобразователи;
  • Сварочное оборудование;
  • Преобразователи для солнечных и ветряных станций,
  • РЖД и общественный электротранспорт.

Обозначение IGBT

Название Vce Icсортировать по убыванию Vce(sat) Исполнение Топология
AnM200RCB07M 700В 200А 2.2В NPT+ Low side chopper
AnM200HBB07M 650В 200А 1.9В NPT+ Half Bridge
AnM200LCB12M 1200В 200А 2.3В NPT+ High side chopper
AnM200HBB17M 1700В 200А 2.4В NPT+ Half Bridge
AnM200HBEB17M 1700В 200А 2.4В NPT+ Common Emitter
AnM200RCB12M 1200В 200А 2.3В NPT+ Low side chopper
AnM200HBB12M 1200В 200А 2.3В NPT+ Half Bridge
AnM200LCB17M 1700В 200А 2.4В NPT+ High side chopper
AnM200HBEB12M 1200В 200А 2.3В NPT+ Common Emitter
AnM200LCB07M 650В 200А 3.0В NPT+ High side chopper
AnM200RCB17M 1700В 200А 2.4В NPT+ Low side chopper
AnM300RCB07M 700В 300А 2.2В NPT+ Low side chopper
AnM300SSC12M 1200В 300А 2.5В NPT+ Single switch
AnM300HBB07M 650В 300А 1.9В NPT+ Half Bridge
AnM300LCB12M 1200В 300А 2.4В NPT+ High side chopper
AnM300SSC17M 1700В 300А 2.8В NPT+ Single switch
AnM300RCB12M 1200В 300А 2.4В NPT+ Low side chopper
AnM300HBB12M 1200В 300А 2.4В NPT+ Half Bridge
AnM300LCB07M 650В 300А 3.0В NPT+ High side chopper
AnM300HBEB12M 1200В 300А 2.4В NPT+ Common Emitter
AnM400SSC07M 700В 400А 3.0В NPT+ Single switch
AnM400SSC12M 1200В 400А 2.5В NPT+ Single switch
AnM400SSC17M 1700В 400А 2.8В NPT+ Single switch
AnM600SSC07M 700В 600А 3.0В NPT+ Single switch
AnM600SSC12M 1200В 600А 2.5В NPT+ Single switch

Страницы